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BSC052N03LSATMA1  与  BSC886N03LS G  区别

型号 BSC052N03LSATMA1 BSC886N03LS G
唯样编号 A36-BSC052N03LSATMA1 A-BSC886N03LS G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 17A/57A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc) -
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6mΩ
上升时间 - 3.2ns
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 770pF @ 15V -
栅极电压Vgs - 20V
封装/外壳 8-PowerTDFN -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 65A
配置 - SingleDualDrainTripleSource
长度 - 5.9mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5.2 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
下降时间 - 3ns
高度 - 1.27mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W
典型关闭延迟时间 - 18ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - BSC886N03
25°C时电流-连续漏极(Id) 17A(Ta),57A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 30V -
典型接通延迟时间 - 4.2ns
库存与单价
库存 3,325 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.08
100+ :  ¥2.475
1,250+ :  ¥2.2
2,500+ :  ¥2.079
暂无价格
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